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中芯国际推出差异化的0.13微米低功耗嵌入式工艺
发布日期:2014-5-12 22:33:54  浏览次数: [返回上一页]

 中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业宣布,其0.13微米低功耗(LL)的嵌入式闪存(eFlash)工艺已正式进入量产。该技术是中芯国际NVM非挥发性记忆体平台的延续,为客户提供了一个高性能、低功耗和低成本的差异化解决方案。

中芯国际的0.13微米嵌入式闪存技术平台可为客户提供以下优势:
强耐度:具备高达300K周期的优秀的循环擦写能力,达到业界标准的三倍;极具成本效益:制程创新,使用较少的工艺步骤;低漏电工艺适合极低功耗的应用并提升性能及可靠性:后段采用铜制程(Cu-BEoL)适合需要高电流密度的应用。
中芯国际的0.13微米低功耗嵌入式闪存技术拥有全面的IP,包括如PLL 、ADC 、LDO、USB等,同时融合了该技术低功耗、 高性能和高可靠性的特点,可适用于具有低功耗需求的广泛的微控制器(MCU)应用包括移动设备、智能卡等。此外,中芯国际预期将提供RF、汽车电子、物联网(IoT)方面的应用。
我们为客户对我们0.13微米差异化的嵌入式闪存技术的快速接受和积极反响感到鼓舞。中芯国际市场营销和销售执行副总裁麦克瑞库表示,我们很高兴地看到0.13微米嵌入式闪存技术在触摸控制器(TCIC, Touch Controller IC)上的应用已进入量产。根据IHS-iSuppli市场调查显示,触摸控制器的全球需求量将从 2012年起实现21%的年复合增长率,2017年将达到约 27 亿个单元。 
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